낸드플래시 메모리(Nand Flash Memory, 이하 낸드)는 전원이 꺼져도 저장한 정보가 사라지지 않는 비휘발성 메모리(기억장치)의 일종이다. 주로 스마트폰, PC의 보조기억장치로 활용되며 사물인터넷(IoT), 빅데이터, AI의 발전과 함께 수요가 증가하고 있다.

컴퓨터의 3요소는 중앙처리장치(CPU), 주기억장치(RAM, 램), 보조기억장치(하드디스크, SSD)다. 플래시메모리는 데이터를 영구적으로 보존하는 롬(ROM, 읽기 전용 메모리)의 장점과 데이터를 고속으로 쓰고 지울 수 있는 램의 장점을 동시에 가졌다. 플래시메모리는 전력 소모가 적으며 기존 하드디스크(회전 자기디스크 방식)에 비해 고속으로 읽기 및 쓰기가 가능하고 충격, 압력, 온도에 대한 내구성도 강해 SSD(Solid State Drive, 반도체 기반 보조기억장치)에도 사용된다.

플래시메모리는 칩 내부의 회로 형태에 따라 낸드(Not AND, NAND)와 노어(Not OR, NOR)로 구분된다. 노어는 데이터의 저장 단위인 셀(Cell)이 병렬로 배치돼 있는 코드(Code, 명령어) 저장형 플래시메모리로 읽기가 빠른 대신 쓰기가 느리다. 반면 낸드는 셀이 직렬로 배치된 데이터저장형 플래시메모리로 좁은 면적에 집적 가능한 셀이 많아 대용량화가 가능하다. 또한 제조 단가가 저렴하고 노어에 비해 쓰기 속도가 빠르다.

플래시메모리는 1984년 일본 기업 도시바(東芝)의 마스오카 후지오 박사에 의해 최초로 개발됐다. 이후 1988년 인텔(Intel)에서 플래시메모리의 상업용 플래시메모리를 개발하기 시작했다.

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